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龙图腾网恭喜广州大学申请的专利一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116204024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211493553.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源是由曾衍瀚;黄文健;杨敬慈;吴楚婷;葛千惠设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源在说明书摘要公布了：本发明公开一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源，主要由四个部分构成，分别为特定的电流输出级、泄露隔离器、偏置电路和二级线性稳压器。其中，特定的电流输出级采用了偏衬技术和共源共栅结构，令功耗、输出精度和负载调整率均得到改善；泄露隔离器针对隔离衬底偏置引入的衬底泄露电流进行隔离；偏置电路用于产生一个与温度成反比的偏置电压，并对输出级进行温度补偿；二级线性稳压器利用两级电压基准产生一个与电源电压无关的供电电压，降低基准电流的电源线性度。本发明基于亚阈值操作和偏衬技术，在较小的电路面积上获得一个具有高精度、超低功耗和宽温度范围的基准电流。

本发明授权一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源在权利要求书中公布了：1.一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源，其特征在于，包括电流输出级、泄露隔离器、偏置电路和二级线性稳压器，所述电流输出级包括共源共栅缓冲器和衬底偏置输出管，所述二级线性稳压器分别与电流输出级、泄露隔离器和偏置电路连接，所述偏置电路分别与电流输出级和泄露隔离器连接，所述泄露隔离器与电流输出级连接；所述共源共栅缓冲器包括一个普通NMOS管M4，所述衬底偏置输出管包括一个普通NMOS管M3，所述普通NMOS管M4漏极为电流基准源的电流输出端口，栅极与偏置电路的M0的漏极及二级线性稳压器的普通NMOS管MF0源极相连接；普通NMOS管M4源极与衬底偏置输出管M3漏极串联；衬底偏置输出管M3栅极与偏置电路的M2漏极和栅极连接，衬底偏置输出管M3的衬底与泄露隔离器中的MB1源极相连接、衬底偏置输出管M3源极接地；所述泄露隔离器包括相互连接的本征NMOS管MB0和普通NMOS管MB1，所述本征NMOS管MB0栅极接地，其源极和普通NMOS管MB1漏极连接，其漏极和普通NMOS管MF1源极连接，所述普通NMOS管MB1的栅极与偏置电路中的普通NMOS管M1的漏极和栅极连接，其源极和衬底偏置输出管M3的衬底连接；所述偏置电路包括依次连接的本征NMOS管M0、普通NMOS管M1和高阈值NMOS管M2，所述本征NMOS管M0栅极接地，其漏极和普通NMOS管MF0源极连接，其源极与普通NMOS管M1栅极和漏极连接，所述普通NMOS管M1源极与高阈值NMOS管M2漏极与栅极及衬底偏置输出管M3栅极连接，所述高阈值NMOS管M2源极接地，漏极与栅极短接；所述二级线性稳压器包括高阈值NMOS管MV1、高阈值NMOS管MV2、高阈值NMOS管MV4、普通NMOS管MV0、普通NMOS管MV3、普通NMOS管MF0和普通NMOS管MF1；所述高阈值NMOS管MV1的栅极和漏极短接，源极与高阈值NMOS管MV2漏极和栅极连接，所述高阈值NMOS管MV2的源极接地，所述高阈值NMOS管MV1的漏极分别与普通NMOS管MV0的源极和高阈值NMOS管MV4的源极连接，所述普通NMOS管MV0的源极与栅极短接并分别与普通NMOS管MV4的源极和高阈值NMOS管MV1的漏极和栅极连接，所述普通NMOS管MV3的栅极和源极短接且与普通NMOS管MF0的栅极、普通NMOS管MF1的栅极及高阈值NMOS管MV4的栅极和漏极连接，普通NMOS管MV0的漏极、普通NMOS管MV3的漏极、普通NMOS管MF0的漏极及普通NMOS管MF1的漏极均连接至电源VDD。

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