买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种具有晶粒尺寸梯度的高硬度高熵合金薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115747742B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211518524.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种具有晶粒尺寸梯度的高硬度高熵合金薄膜的制备方法是由王飞;黄平;杨玥玥设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有晶粒尺寸梯度的高硬度高熵合金薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有晶粒尺寸梯度的高硬度高熵合金薄膜的制备方法，利用磁控溅射薄膜制备具有厚度方向结构异质性的薄膜，然后通过低温退火调控晶化，进而得到具有晶粒尺寸梯度的高硬度薄膜，本发明得到沿高熵合金薄膜厚度方向纳米晶晶粒尺寸梯度变化的样品，晶粒尺寸梯度变化的结构设计使具有FCC单相结构的CrMnFeCoNi系高熵合金硬度达到13.52GPa。

本发明授权一种具有晶粒尺寸梯度的高硬度高熵合金薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有晶粒尺寸梯度的高硬度FCC单向结构的CrMnFeCoNi高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于：利用磁控溅射薄膜制备具有厚度方向结构异质性的薄膜，然后通过低温退火调控晶化，进而得到具有晶粒尺寸梯度的高硬度薄膜，具体包括以下步骤：1将在酒精内超声清洗5-10min后的单面抛光单晶硅基片与底托对角固定好后水平插入，抛光面朝上，超高真空磁控溅射设备中；2将需要溅射的CrMnFeCoNi高熵合金靶材与纯Mn靶材分别固定在射频和直流电源上；3在利用机械泵和分子泵组合抽至所需的高真空条件后，通入高纯氩气作为主要离化气体进行辉光放电；4确认气体通入之后，调节两个电源控制器至所需功率后打开电源，开始预溅射20-30min去除靶材表面杂质；磁控溅射过程中控制直流电源的功率从30W均匀变化到0W；5预溅射结束后，利用控制杆翻转基片抛光面朝下开始正式共溅射，并打开旋转控制开关确保溅射均匀性；6将沉积得到的合金薄膜置于真空退火炉中，在395-405℃后时保温60min，然后关闭加热使样品冷却，得到具有晶粒尺寸梯度的高硬度薄膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。