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龙图腾网恭喜郑州炜盛电子科技有限公司申请的专利阵列型场效应管光电传感器及未知光源波长识别方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115790676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211620769.4，技术领域涉及：G01D5/26；该发明授权阵列型场效应管光电传感器及未知光源波长识别方法是由古瑞琴;杨志博;郭海周;王庆;汪静;高胜国设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列型场效应管光电传感器及未知光源波长识别方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种阵列型场效应管光电传感器及未知光源波长识别方法，所述阵列型场效应管光电传感器包括依次设置在基板上的场效应管Ⅰ、场效应管Ⅱ、场效应管Ⅲ、场效应管Ⅳ和场效应管Ⅴ，所述场效应管Ⅰ、所述场效应管Ⅱ、所述场效应管Ⅲ、所述场效应管Ⅳ和所述场效应管Ⅴ分别对应不同的峰值波长，形成2.7μm至3.9μm峰值波长梯度的阵列型场效应管光电传感器。本发明基于所述阵列型场效应管光电传感器，能够实现峰值波长在2.7μm至3.9μm内未知光源的波长及能量检测。

本发明授权阵列型场效应管光电传感器及未知光源波长识别方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阵列型场效应管光电传感器的未知光源波长识别方法，所述阵列型场效应管光电传感器，包括依次设置在基板上的场效应管Ⅰ、场效应管Ⅱ、场效应管Ⅲ、场效应管Ⅳ和场效应管Ⅴ，所述场效应管Ⅰ、所述场效应管Ⅱ、所述场效应管Ⅲ、所述场效应管Ⅳ和所述场效应管Ⅴ分别对应不同的工作波长范围，形成2.7μm至3.9μm峰值波长梯度；其特征在于，包括以下步骤：初始化阶段：在所述场效应管Ⅰ的栅极和源极之间加载正向偏压UGS1，在所述场效应管Ⅱ的栅极和源极之间加载正向偏压UGS2，在所述场效应管Ⅲ的栅极和源极之间加载正向偏压UGS3，在所述场效应管Ⅳ的栅极和源极之间加载正向偏压UGS4，在所述场效应管Ⅴ的栅极和源极之间加载正向偏压UGS5；分别将所述场效应管Ⅰ、所述场效应管Ⅱ、所述场效应管Ⅲ、所述场效应管Ⅳ和所述场效应管Ⅴ的源极接地；在所述场效应管Ⅰ的漏极和源极之间加载电压UDS1，在所述场效应管Ⅱ的漏极和源极之间加载电压UDS2，在所述场效应管Ⅲ的漏极和源极之间加载电压UDS3，在所述场效应管Ⅳ的漏极和源极之间加载电压UDS4，在所述场效应管Ⅴ的漏极和源极之间加载电压UDS5；在待测环境中不存在光源时，将所述阵列型场效应管光电传感器中各个场效应管输出的漏源电流IDS，标记为各个场效应管对应的电流基准值；标定阶段：分别使用已知峰值波长且已知能量的标定光源，对所述阵列型场效应管光电传感器中相应的场效应管进行波长标定，获得每个场效应管对应的电流变化基准量；波长识别检测阶段：当峰值波长在2.7μm至3.9μm内的未知光源发出的红外光，分别辐射在所述场效应管Ⅰ、所述场效应管Ⅱ、所述场效应管Ⅲ、所述场效应管Ⅳ和所述场效应管Ⅴ的栅极上，使各个场效应管对应的栅极阈值电压UT下降；在某个场效应管的栅极和源极之间加载正向偏压UGSi＞相应场效应管的实时栅极阈值电压UTi时，所述阵列型场效应管光电传感器中相应场效应管的漏极和源极之间输出漏源电流IDSi；分别计算出各个场效应管输出的漏源电流IDS与相应电流基准值之间的差值，作为各个场效应管对应的漏源电流实时变化量；基于各个场效应管对应的漏源电流实时变化量，从所述阵列型场效应管光电传感器中挑选出两个场效应管，作为第一目标场效应管和第二目标场效应管，并判定待测环境中未知光源发出的红外光波长，处于所述第一目标场效应管和所述第二目标场效应管对应的峰值波长之间。

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