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龙图腾网恭喜苏州达晶半导体有限公司申请的专利MOS器件切筋装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115945611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211673189.1，技术领域涉及：B21F11/00；该发明授权MOS器件切筋装置是由田伟;廖兵设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS器件切筋装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种MOS器件切筋装置，其位于此避位槽的两侧均开设有条形槽，位于此条形槽的下方具有与条形槽连通的开口槽，条形槽的顶部设置有非牛顿流体条，在此条形槽的底部且位于开口槽上方设置有撞击板，此撞击板的下方通过连接片与切筋柱连接，且该连接片位于开口槽内部，切筋柱与MOS器件的引脚条对应，通孔供移动柱套装连接，移动柱固定安装在缓冲板的下表面，缓冲板的上表面安装有若干弓形弹片，在第一支撑板与第二支撑板之间设置有第三支撑板，且在两个第三支撑板之间设置有弹性圈。本发明既实现了同时对多个半导体器件进行切筋，提高了加工效率，又可以对MOS器件主体进行缓冲，有效避免硬接触导致MOS器件损坏的情况，大大提高了MOS器件的安全性。

本发明授权MOS器件切筋装置在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件切筋装置，包括：面板（1）和冲压装置（2），其特征在于：所述冲压装置（2）设置在面板（1）上方，所述面板（1）顶部沿长度方向设置有一限位轨道（7），此限位轨道（7）包括冲压区（71）、定位区（72），所述冲压区（71）位于所述冲压装置（2）下方，在所述面板（1）的一端设置有一推进机构（3），位于限位轨道（7）一侧且在相近于推进机构（3）的一端设置有一限位罩（35），此推进机构（3）用于将MOS器件（100）从定位区（72）推至冲压区（71），在所述冲压区（71）的中间位置且位于MOS器件（100）下方开设有一容置槽（4），此容置槽（4）的内部设置有缓冲机构（5）；所述冲压装置（2）的底部具有一冲压板（6），此冲压板（6）的下表面具有一避位槽（8），位于此避位槽（8）的两侧均开设有一条形槽（9），位于此条形槽（9）的下方具有一与条形槽（9）连通的开口槽（10），所述条形槽（9）的顶部设置有一非牛顿流体条（11），在此条形槽（9）的底部且位于开口槽（10）上方设置有一撞击板（12），此撞击板（12）的下方通过连接片（13）与一切筋柱（14）连接，且该连接片（13）位于开口槽（10）内部，所述切筋柱（14）与MOS器件（100）的引脚条（200）对应；所述缓冲机构（5）进一步包括缓冲板（15）、移动柱（16）以及弹性柱（17），位于所述容置槽（4）的底部且在左、右两侧均设置有一第一支撑板（18），该第一支撑板（18）的顶部安装有所述弹性柱（17），位于此第一支撑板（18）的上方设置有一具有通孔（20）的第二支撑板（19），所述通孔（20）供移动柱（16）套装连接，所述移动柱（16）固定安装在缓冲板（15）的下表面，所述缓冲板（15）的上表面安装有若干弓形弹片（21），在所述第一支撑板（18）与第二支撑板（19）之间设置有第三支撑板（22），且在两个第三支撑板（22）之间设置有一弹性圈（23）。

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