恭喜中南大学李青竹获国家专利权
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龙图腾网恭喜中南大学申请的专利一种改良离子培养基及利用该离子培养基形成锰氧化物的方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116179448B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310397481.3，技术领域涉及：C12N1/20；该发明授权一种改良离子培养基及利用该离子培养基形成锰氧化物的方法与应用是由李青竹;石淼;柴立元;王庆伟;廖骐;杨志辉;杨卫春;司梦莹设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改良离子培养基及利用该离子培养基形成锰氧化物的方法与应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种改良离子培养基及利用该离子培养基形成锰氧化物的方法与应用。在经典离子培养基的基础上不再添加Zn2+、Co2+和MoO42‑离子并减少了Fe3+和Cu2+离子的质量，通过改良培养基培养的锰氧化菌，可在最适条件下氧化二价锰形成锰氧化矿物。离子的减少不影响甚至提高了形成矿物的性能，主要表现为该矿物具有优异的钴富集效果，最高可达42.59mgg。这一性能对战略资源钴回收具有重要意义。
本发明授权一种改良离子培养基及利用该离子培养基形成锰氧化物的方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种改良离子培养基，其特征在于，其配方为：0.5gL酵母提取物，0.5gL酸水解蛋白，1gL葡萄糖，2.38gLHEPES，0-2×10-3molLCaCl2,3.3×10-3molLMgSO4.7H2O,0-3.7×10-6molLFeCl3.6H2O，1-10mgLCuSO4.5H2O。
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