恭喜北京怀柔实验室王亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利IGCT器件的封装方法及IGCT器件的封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510369140.4，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权IGCT器件的封装方法及IGCT器件的封装结构是由王亮;唐新灵;韩荣刚;林仲康;代安琪;王耀华;石浩;郝炜设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGCT器件的封装方法及IGCT器件的封装结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种IGCT器件的封装方法及IGCT器件的封装结构，其中，IGCT器件的封装方法包括：提供一电极和一晶圆；于所述电极的表面形成图形化的互连材料层，所述互连材料层包括多个间隔设置的互连材料单元；将所述晶圆设置于所述互连材料层远离所述电极的一侧；采用键合工艺或焊接工艺，使所述互连材料单元发生形变，以连接所述晶圆和所述电极；其中，至少两个相邻设置且变形后的所述互连材料单元部分相连。本申请在晶圆与电极互连过程中提供了释放热应力的空间，减少或避免了互连过程中因热应力而发生翘曲变形的风险，从而在不影响热阻优化效果的同时提高了IGCT器件的封装结构的可靠性。
本发明授权IGCT器件的封装方法及IGCT器件的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种IGCT器件的封装方法，其特征在于，包括：提供一电极和一晶圆；于所述电极的表面形成图形化的互连材料层，所述互连材料层包括多个间隔设置的互连材料单元；将所述晶圆设置于所述互连材料层远离所述电极的一侧；采用键合工艺或焊接工艺，使所述互连材料单元发生形变，以连接所述晶圆和所述电极；其中，至少两个相邻设置且变形后的所述互连材料单元部分相连；所述于所述电极的表面形成图形化的互连材料层，包括：将各所述互连材料单元按照设定轨迹设置于所述电极的表面，以形成所述互连材料层；其中，所述设定轨迹基于中心轴线对称设置于所述电极的表面，所述中心轴线平行于所述电极的表面且穿过所述电极的几何中心。
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