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龙图腾网恭喜成都京东方显示科技有限公司申请的专利阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110729235B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911013083.7，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板是由刘翔设计研发完成，并于2019-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的金属氧化物薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管，所述金属氧化物薄膜晶体管与所述多晶硅薄膜晶体管间隔设置，所述金属氧化物薄膜晶体管位于第一区域，用于驱动像素电极，所述多晶硅薄膜晶体管位于第二区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗。

本发明授权阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上沉积第一金属层，通过第一次光刻，使所述第一金属层形成位于第一区域的第一栅极；沉积缓冲层和金属氧化物半导体层，通过第二次光刻，使所述金属氧化物半导体层形成位于所述第一区域的第一半导体层；沉积非晶硅层，进行一次高温退火工艺，使所述非晶硅层形成多晶硅层，通过第三次光刻，使所述多晶硅层形成位于第二区域的第二半导体层，并使所述多晶硅层形成位于所述第一半导体层上的源漏金属隔离层；依次沉积绝缘层和第二金属层，通过第四次光刻，使所述第二金属层形成位于所述第二区域的第二栅极；沉积第一金属氧化物保护层，通过第五次光刻，在所述绝缘层和所述第一金属氧化物保护层上形成多个过孔；沉积第三金属层，通过第六次光刻，使所述第三金属层形成位于所述第一区域的第一源极、第一漏极以及位于所述第二区域的第二源极、第二漏极，并使所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述过孔与所述第一半导体层连通，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述过孔与所述第二半导体层连通。

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