恭喜苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114600253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980101635.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构及其制作方法是由程凯设计研发完成，并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构中，异质结上依次形成有原位绝缘层与过渡层，原位绝缘层与过渡层中具有凹槽，在凹槽内以及过渡层上的栅极区域形成有p型半导体层。过渡层利于工艺中p型半导体层在凹槽外形成。原位绝缘层与过渡层可以减小器件中沟道泄漏到栅极形成的栅泄漏电流，因而异质结中的势垒层的厚度可以较小，从而可以提高阈值电压；此外，由于原位绝缘层的设置，可减小方块电阻，增加二维电子气的浓度，提高了栅极对沟道的控制能力，提升工作电流。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：自下而上分布的半导体衬底（10）、异质结（11）、原位绝缘层（12）以及过渡层（13）；贯穿所述原位绝缘层（12）与过渡层（13）的凹槽（14）；位于所述凹槽（14）内以及所述过渡层（13）上的栅极区域的p型半导体层（15a），所述p型半导体层（15a）未填满所述凹槽（14）；所述过渡层（13）的整个上表面上的非栅极区域也具有所述p型半导体层（15a），所述过渡层（13）有利于所述p型半导体层（15a）在所述凹槽（14）外形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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