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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010891731.5，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权封装结构及其制作方法是由胡宪斌;高金福;郑礼辉;卢思维;魏文信;潘志坚设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种封装结构包括线路衬底、半导体封装、盖结构、无源器件及障壁结构。半导体封装设置在线路衬底上且电连接到线路衬底。盖结构设置在线路衬底上且覆盖半导体封装。盖结构通过粘合材料贴合到线路衬底。无源器件在半导体封装与盖结构之间设置在线路衬底上。障壁结构将无源器件与盖结构及粘合材料隔开且障壁结构接触粘合材料。

本发明授权封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，包括：线路衬底；半导体封装，设置在所述线路衬底上且电连接到所述线路衬底；底部填充结构，设置在所述线路衬底与所述半导体封装之间；盖结构，设置在所述线路衬底上且覆盖所述半导体封装，其中所述盖结构通过粘合材料贴合到所述线路衬底；第一无源器件，设置在所述线路衬底上且在所述半导体封装的第一侧与所述盖结构之间；第二无源器件，设置在所述线路衬底上且在所述半导体封装的第二侧与所述盖结构之间，其中所述第二侧与所述第一侧相对；障壁结构，包括：第一挡坝部分，所述第一挡坝部分沿第一方向延伸，并位于所述第一无源器件与所述盖结构之间，且所述第一无源器件与所述盖结构和所述粘合材料间隔开，其中所述第一挡坝部分与所述粘合材料物理接触；以及辅助第一挡坝部分，所述辅助第一挡坝部分将所述第二无源器件与所述盖结构和所述粘合材料间隔开，其中所述辅助第一挡坝部分与所述第一挡坝部分物理隔开、且在沿所述第一方向上不与所述第一挡坝部分重叠、并且与所述粘合材料物理接触，其中所述辅助第一挡坝部分包括第一部段、第二部段和第三部段，所述第一部段和所述第二部段围绕所述第二无源器件的两个相对侧面，所述第三部段将所述第一部段与所述第二部段物理连接并围绕所述第二无源器件的第三侧面，所述辅助第一挡坝部分未覆盖所述第二无源器件的面向所述半导体封装的所述第二侧的第四侧面，其中，所述第一部段和所述第二部段的断开端包括末端表面，所述末端表面面向所述底部填充结构。

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