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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种功率半导体模块封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121923B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010898625.X，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种功率半导体模块封装结构是由李道会;李想;马特·帕克伍德;谭琨;王彦刚;罗海辉;刘国友设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体模块封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率半导体模块封装结构，包括：封装基板、封装管壳、半桥型功率半导体模块；封装管壳与封装基板紧固连接，形成容纳空间；半桥型功率半导体模块设置在容纳空间内；半桥型功率半导体模块包括并联设置在封装基板上的配对的上开关管和下开关管，且上开关管和下开关管在水平方向相对设置；上开关管包括键合在基板上的第一衬板和键合在第一衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；下开关管包括键合在基板上的第二衬板和键合在第二衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；第一衬板和第二衬板之间通过主功率端子、辅助控制端子和模块级键合线连接，主功率端子和辅助控制端子的顶部外延伸出封装管壳。

本发明授权一种功率半导体模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括：封装基板、封装管壳、半桥型功率半导体模块；所述封装管壳与所述封装基板紧固连接，形成容纳空间；所述半桥型功率半导体模块设置在所述容纳空间内；所述半桥型功率半导体模块包括并联设置在所述封装基板上的多组配对的上开关管和下开关管，且各组内的所述上开关管和所述下开关管在水平方向相对设置；所述上开关管包括键合在所述基板上的第一衬板和键合在所述第一衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；所述下开关管包括键合在所述基板上的第二衬板和键合在所述第二衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；所述第一衬板和所述第二衬板之间通过主功率端子、辅助控制端子和模块级键合线连接，所述主功率端子和所述辅助控制端子的顶部外延伸出所述封装管壳；所述主功率端子包括正直流功率端子、负直流功率端子和交流功率端子；其中，所述正直流功率端子与所述负直流功率端子分别设置在所述第一衬板和第二衬板的金属层上，所述交流功率端子的底部引脚设置在所述第一衬板的金属层上；所述正直流功率端子与所述负直流功率端子呈镜像对称设置，以使所述主功率端子导通不同方向电流时电流重叠，形成耦合低电感；所述交流功率端子的顶部与所述正直流功率端子与所述负直流功率端子的顶部呈镜像对称设置；所述正直流功率端子与所述负直流功率端子均包括安装部、第一导电部和第二导电部；所述安装部与所述第一导电部通过第一弯折部垂直连接，所述第一弯折部的形状与所述封装管壳的形状相适配，使所述安装部外延伸出所述封装管壳；所述第一导电部与所述第二导电部通过第二弯折部垂直连接；所述正直流功率端子的第二导电部与所述负直流功率端子的第二导电部呈重叠耦合结构；所述第二导电部设置多个弯折管脚，多个弯折引脚分别键合在衬板上，以形成高导通电流；所述交流功率端子包括两个交流安装部、两个交流第一弯折部、交流第一导电部和交流第二导电部；两个所述交流安装部分别通过两个所述交流第一弯折部与交流第一导电部的两个端部连接，以使所述交流功率端子的两个交流安装部分别与所述正直流功率端子的安装部与所述负直流功率端子的安装部镜像对称；所述交流第一导电部与所述交流第二导电部通过交流第二弯折部垂直连接。

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