恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利虚设栅极切割工艺及所得栅极结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011163833.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权虚设栅极切割工艺及所得栅极结构是由林士尧;林志翰;张书维;蔡雅怡;古淑瑗设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本虚设栅极切割工艺及所得栅极结构在说明书摘要公布了：本公开涉及虚设栅极切割工艺及所得栅极结构。一种方法包括：形成虚设栅极堆叠，蚀刻虚设栅极堆叠以形成开口，沉积延伸到开口中的第一电介质层，以及在第一电介质层上沉积第二电介质层，并且第二电介质层延伸到开口中。然后执行平坦化工艺，以形成包括第一电介质层和第二电介质层的栅极隔离区域。然后移除虚设栅极堆叠以在栅极隔离区域的相对侧上形成沟槽。该方法还包括：执行第一蚀刻工艺，以移除第一电介质层的侧壁部分，执行第二蚀刻工艺，以使第二电介质层变薄，以及在沟槽中形成替代栅极。
本发明授权虚设栅极切割工艺及所得栅极结构在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：形成从隔离区域突出的电介质虚设鳍，其中，所述隔离区域位于所述电介质虚设鳍的相对侧上；在所述电介质虚设鳍上形成虚设栅极堆叠；蚀刻所述虚设栅极堆叠以形成开口；沉积延伸到所述开口中的第一电介质层；在所述第一电介质层上沉积第二电介质层，并且所述第二电介质层延伸到所述开口中；执行平坦化工艺，以形成包括所述第一电介质层和所述第二电介质层的栅极隔离区域，其中，所述栅极隔离区域具有接触所述电介质虚设鳍的底表面；移除所述虚设栅极堆叠中在所述栅极隔离区域的相对侧上的部分以形成沟槽；执行第一蚀刻工艺，以移除所述第一电介质层的侧壁部分；执行第二蚀刻工艺，以使所述第二电介质层变薄；以及在所述沟槽中形成替代栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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