恭喜意法半导体(图尔)公司L·法卢尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(图尔)公司申请的专利用于制造电子芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112908866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011299981.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权用于制造电子芯片的方法是由L·法卢尔设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造电子芯片的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种用于制造电子芯片的方法。该方法包括在半导体衬底的第一面上形成多个沟槽，在该半导体衬底中和该半导体衬底上已经形成多个集成电路。沟槽侧向界定多个芯片，并且芯片中的每个芯片包括单个集成电路。该方法进一步包括通过在沟槽的侧向壁上形成电隔离层，对芯片中的每个芯片的侧翼进行电隔离。
本发明授权用于制造电子芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造芯片的方法，包括：形成穿过半导体衬底和互连层的多个沟槽，所述多个沟槽中的每个沟槽延伸穿过所述半导体衬底的第一面和所述半导体衬底的与所述第一面相对的第二面，所述互连层在所述半导体衬底的所述第二面上，所述半导体衬底包括多个集成电路，所述多个沟槽侧向界定多个芯片，所述多个芯片各自包括所述多个集成电路中的集成电路，所述互连层包括用于所述多个芯片中的每个芯片的至少一个金属连接焊盘；以及通过在所述半导体衬底的所述第一面和所述多个沟槽的侧向壁上形成电隔离层，对所述多个芯片中的每个芯片的侧翼进行电隔离，所述电隔离层设置在所述多个沟槽中的所述半导体衬底的侧向壁和所述互连层的侧向壁上，所述电隔离层包括至少一个氧化物层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(图尔)公司，其通讯地址为：法国图尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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