恭喜株式会社迪思科能丸圭司获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社迪思科申请的专利晶片生成方法和晶片生成装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113231906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110052917.6，技术领域涉及：B24B7/22；该发明授权晶片生成方法和晶片生成装置是由能丸圭司设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片生成方法和晶片生成装置在说明书摘要公布了：本发明提供晶片生成方法和晶片生成装置，能够在不一一检测锭的上表面的高度的情况下生成应生成的厚度的晶片。晶片生成方法从半导体锭生成晶片，该晶片生成方法包含如下的工序：热应力波生成工序，向卡盘工作台所保持的半导体锭的上表面照射对于锭具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，并使该热应力波在锭的内部传播；以及破碎层形成工序，按照在该热应力波生成工序中生成的热应力波以与锭的材质对应的音速在内部传播而到达相当于应生成的晶片的厚度的位置的时间，从锭的上表面照射对于锭具有透过性的波长的脉冲激光光线，在由于该热应力波的拉伸应力而使带隙变窄的区域中产生具有透过性的波长的脉冲激光光线的吸收，从而形成破碎层。
本发明授权晶片生成方法和晶片生成装置在权利要求书中公布了：1.一种晶片生成方法，从半导体锭生成晶片，其中，该晶片生成方法具有如下的工序：保持工序，将半导体锭保持于卡盘工作台；热应力波生成工序，向该卡盘工作台所保持的该半导体锭的上表面照射对于该半导体锭具有吸收性的波长的脉冲激光光线而生成热应力波，并使该热应力波在该半导体锭的内部传播；破碎层形成工序，按照在该热应力波生成工序中生成的热应力波以与该半导体锭的材质对应的音速在内部传播而到达相当于应生成的晶片的厚度的位置的时间，从该半导体锭的上表面照射对于该半导体锭具有透过性的波长的脉冲激光光线，在由于该热应力波的拉伸应力而使带隙变窄的区域中产生具有透过性的波长的该脉冲激光光线的吸收，从而形成破碎层；以及剥离工序，以该破碎层为起点将应生成的晶片从该半导体锭剥离。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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