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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利掺杂的非晶硅光学器件膜及经由掺入掺杂原子的沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115698369B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180039600.7，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权掺杂的非晶硅光学器件膜及经由掺入掺杂原子的沉积是由安德鲁·塞巴洛斯;卢多维克·戈代;卡尔·J·阿姆斯特朗;拉米·胡拉尼设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本掺杂的非晶硅光学器件膜及经由掺入掺杂原子的沉积在说明书摘要公布了：本公开内容的实施方式一般涉及用于光学器件制造的方法及材料。更具体而言，本文描述的实施方式提供了光学膜沉积方法及材料，其经由通过在沉积期间抑制光学材料的晶体生长来掺入掺杂原子，从而扩大非晶光学膜沉积的处理窗口。通过使非晶膜能够在更高温度下沉积，能够实现显著的成本节省及产量增加。

本发明授权掺杂的非晶硅光学器件膜及经由掺入掺杂原子的沉积在权利要求书中公布了：1.一种方法，包含以下步骤：在基板支撑件上设置光学器件基板，所述基板支撑件设置在腔室中，所述腔室包含：设置在所述腔室中的光学器件材料靶材，所述光学器件材料靶材包含光学器件材料，其中所述光学器件材料包括下列中的一者或两者：含金属材料，所述含金属材料包含五氧化钽Ta2O5、二氧化锆ZrO2、氧化铟In2O3、或氧化铪HfO2；及半导体材料，所述半导体材料包含硅Si、锗Ge、锗硅SiGe、III-V半导体、II-IV半导体、三元半导体、四元半导体、及透明导电氧化物；及设置在所述腔室中的电介质靶材，所述电介质靶材包含掺杂剂材料，其中所述掺杂剂材料包含：硅Si、铌Nb、钛Ti、钽Ta、锆Zr、铟In、铪Hf、或上述的氧化物，其中所述掺杂剂材料与所述光学器件材料是不同的；及在所述光学器件基板上沉积掺杂的非晶光学器件膜，所述掺杂的非晶光学器件膜具有从所述光学器件基板的表面垂直延伸到所述掺杂的非晶光学器件膜的顶表面的一定范围的多个区域，包含以下步骤：沉积所述光学器件材料以在所述光学器件基板的表面上形成光学器件层，沉积所述光学器件材料的步骤包含以下步骤：将DC电源的第一功率水平提供至所述光学器件材料靶材来，从而以第一沉积速率沉积所述光学器件材料；及将所述掺杂剂材料沉积到所述光学器件层的所述一定范围的多个区域中，以形成所述掺杂的非晶光学器件膜，沉积所述掺杂剂材料的步骤包含以下步骤：将RF电源的第二功率水平提供至所述电介质靶材，从而以第二沉积速率沉积所述掺杂剂材料，其中所述掺杂剂材料分布在所述一定范围的多个区域的每个区域中，其中所述第一沉积速率与所述第二沉积速率是不同的。

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