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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利感测放大结构和存储器架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110998262.1，技术领域涉及：G11C11/4091；该发明授权感测放大结构和存储器架构是由池性洙设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本感测放大结构和存储器架构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体电路设计领域，涉及一种感测放大结构和存储器架构，包括：第一PMOS管，栅极连接第二互补读出位线，源极连接第一信号端；第一NMOS管，栅极连接初始位线；第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接第一互补读出位线；第二PMOS管，栅极连接第二互补读出位线；第二NMOS管，栅极连接初始互补位线，源极连接第二信号端；第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接第一互补读出位线；偏移消除模块，连接初始位线和第一互补读出位线，且连接初始互补位线和第一读出位线；控制模块，连接第二读出位线和第二互补读出位线，用于根据控制信号，向第一PMOS管和第二PMOS管提供偏置电压，以稳定地消除感测放大电路中的偏移噪声，同时避免位线和互补位线上的电压波动。

本发明授权感测放大结构和存储器架构在权利要求书中公布了：1.一种感测放大结构，设置在相邻存储阵列之间，其特征在于，包括：第一PMOS管，其栅极连接第二读出位线，其源极连接第一信号端；第一NMOS管，其栅极连接初始位线，其源极连接第二信号端；所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极连接第一互补读出位线，其中，所述第一信号端用于接收第一电平信号，所述第二信号端用于接收第二电平信号；第二PMOS管，其栅极连接第二互补读出位线，其源极连接所述第一信号端；第二NMOS管，其栅极连接初始互补位线，其源极连接所述第二信号端；所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极连接第一读出位线，其中，所述初始位线连接相邻所述存储阵列中一所述存储阵列的存储单元，所述初始互补位线连接相邻所述存储阵列中另一所述存储阵列的存储单元；偏移消除模块，部分连接在所述初始位线与所述第一互补读出位线之间，部分连接在所述初始互补位线和所述第一读出位线之间，用于根据偏移消除信号，使所处初始位线与所述第一互补读出位线电连接，并使所述初始互补位线与所述第一读出位线电连接；控制模块，连接所述第二读出位线和所述第二互补读出位线，用于根据控制信号，向所述第一PMOS管和所述第二PMOS管提供偏置电压。

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