恭喜长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111044659.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有浅沟槽隔离结构；在有源区内形成多个晶体管容置槽，晶体管容置槽与浅沟槽隔离结构之间具有间隔；在晶体管容置槽内形成柱状结构，柱状结构包括沿远离衬底的方向依次设置的源极、导电沟道和漏极；刻蚀去除位于前述间隔内的有源区及位于同一有源区内的相邻柱状结构之间的有源区，以形成位线沟槽，位线沟槽环绕源极；在位线沟槽内形成环绕接触源极的位线。所述制备方法能够减小晶体管与位线之间、以及晶体管与字线之间的接触电阻，从而提升半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构在所述衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；在所述有源区内形成多个晶体管容置槽，所述晶体管容置槽与所述浅沟槽隔离结构之间具有间隔；在所述晶体管容置槽内形成柱状结构，所述柱状结构包括沿远离所述衬底的方向依次设置的源极、导电沟道和漏极；刻蚀去除位于所述间隔内的所述有源区及位于同一所述有源区内的相邻所述柱状结构之间的所述有源区，以形成位线沟槽，所述位线沟槽环绕所述源极；在所述位线沟槽内形成环绕接触所述源极的位线。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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