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龙图腾网恭喜意法半导体有限公司申请的专利用于制造晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388367B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111222506.3，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权用于制造晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的方法是由邓俊宜;D·加尼设计研发完成，并于2021-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及用于制造晶圆级芯片尺寸封装WLCSP的方法。从生产晶圆的顶表面向下延伸穿过划线区域到达仅部分穿过半导体衬底的深度，开放沟槽。在执行凸块化工艺之前，将第一柄状件附接到生产晶圆的顶表面。然后，减薄半导体衬底的背表面，以到达沟槽并在由沟槽界定的每个集成电路位置处形成晶圆级芯片尺寸封装。然后，将第二柄状件附接到减薄的半导体衬底的底表面，并且移除第一柄状件以在顶表面处暴露凸块下金属化焊盘。然后，执行凸块化工艺，以在每个暴露的凸块下金属化焊盘处形成焊球。

本发明授权用于制造晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造晶圆级芯片尺寸封装的方法，包括：生产前端制程FEOL衬底晶圆，所述FEOL衬底晶圆包括具有第一厚度和背表面的半导体衬底晶圆以及预金属化介电层；在所述预金属化介电层之上生产后端制程BEOL结构，所述BEOL结构包括第一钝化层，所述第一钝化层包括用于接合焊盘的开口；在所述第一钝化层之上形成再分布层，其中所述再分布层将所述接合焊盘电连接到凸块下金属化焊盘；形成第二钝化层，所述第二钝化层包括用于所述凸块下金属化焊盘的开口，并由此制造生产晶圆；开放从所述生产晶圆的顶表面向下延伸到仅部分地穿过所述半导体衬底晶圆的深度的沟槽；在所述凸块下金属化焊盘处执行凸块化工艺之前，将第一柄状件附接到所述生产晶圆的顶表面；在所述生产晶圆的所述半导体衬底晶圆的背表面处从第一厚度减薄至第二厚度，到达所述沟槽并形成多个晶圆级芯片尺寸封装；将第二柄状件附接到所述多个晶圆级芯片尺寸封装的底表面；移除所述第一柄状件，以暴露所述凸块下金属化焊盘；以及执行所述凸块化工艺，以在每个暴露的凸块下金属化焊盘处形成焊球，其中所述第一柄状件是第一支撑晶圆，以及所述第二柄状件是第二支撑晶圆。

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