恭喜上海华力集成电路制造有限公司温海东获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种浮栅制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111252570.6，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种浮栅制作方法是由温海东;曹坚设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浮栅制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种浮栅制作方法，提供衬底，衬底上形成有多个浮栅；浮栅表面从下到上至少依次淀积形成有第一保护层、附属层和第二保护层，其中第一保护层和第二保护层能够防止附属层被氧化；以及通过后续工艺将浮栅上非待处理区域处的第二保护层和附属层去除，将待处理区域上的附属层局部或全部保留。本发明在TiN等附属层经历高温工艺时能够对TiN保护，附属层不容易颗粒化，保证了生产器件的均匀性和稳定性。
本发明授权一种浮栅制作方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅制作方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有源区，在所述有源区形成多个浮栅结构；步骤二、依次形成有覆盖所述衬底上表面和所述浮栅结构的第一保护层、附属层和第二保护层，其中所述第一保护层和所述第二保护层用于防止所述附属层被氧化,所述第一保护层为二氧化铪,所述第二保护层为二氧化铪,所述附属层为TiN；步骤三、刻蚀所述浮栅结构区以外全部的以及所述浮栅结构上部分的所述第二保护层和所述附属层，使得所述有源区处未被刻蚀的剩余所述附属层和剩余所述第二保护层保留。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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