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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利基础芯片、存储系统以及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111272427.3，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权基础芯片、存储系统以及半导体结构是由寗树梁设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基础芯片、存储系统以及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种基础芯片、存储系统以及半导体结构，基础芯片被配置为，在写入阶段接收第一数据以及第一编码数据，第一编码数据为对第一数据进行第一错误校正码编码处理获得的，并对第一数据进行第二错误校正码编码处理以生成第二编码数据，在写入阶段向存储芯片传输第二数据，第二数据包括第一数据、第一编码数据以及第二编码数据；基础芯片还被配置为，在读取阶段接收来自存储芯片的第二数据，并对第一数据以及第二编码数据进行第一检错纠错处理，并在读取阶段传输第三数据，第三数据包括第一编码数据以及进行第一检错纠错处理后的第一数据。本公开实施例能够改善存储系统的存储性能。

本发明授权基础芯片、存储系统以及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种基础芯片，应用于存储系统，其特征在于，包括：所述基础芯片被配置为，在写入阶段接收第一数据以及第一编码数据，所述第一编码数据为对所述第一数据进行第一错误校正码编码处理获得的，并对所述第一数据进行第二错误校正码编码处理以生成第二编码数据，在所述写入阶段向存储芯片传输第二数据，所述第二数据包括所述第一数据、所述第一编码数据以及所述第二编码数据；所述基础芯片还被配置为，在读取阶段接收来自所述存储芯片的所述第二数据，并对所述第一数据以及所述第二编码数据进行第一检错纠错处理，并在所述读取阶段传输第三数据，所述第三数据包括所述第一编码数据以及进行所述第一检错纠错处理后的所述第一数据；所述基础芯片还被配置为，在所述第一检错纠错处理期间生成第一检错标志信号，且基于所述第一检错标志信号，记录所述第一数据以及所述第二编码数据在传输过程中的出错情况。

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