恭喜长鑫存储技术有限公司于业笑获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116113231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111311525.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由于业笑;陈龙阳;刘忠明设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决位线损失较多的技术问题，该半导体结构的制作方法包括：在基底上形成旋涂硬掩模层，基底内设置有多个间隔的有源区，基底上设置有多条间隔且沿第一方向延伸的位线，每条位线至少电连接一个有源区，旋涂硬掩模层填充在位线之间并覆盖位线；去除部分旋涂硬掩模层，形成多条间隔设置的第一沟道；在第一沟道内形成第一牺牲层；去除第一牺牲层之间的旋涂硬掩模层，形成第二沟道；在第二沟道内形成第一支撑层；去除第一牺牲层，并将位于相邻位线之间的第一沟道延伸至有源区。利用旋涂硬掩模层减少后续刻蚀中位线的损失。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：在基底上形成旋涂硬掩模层，其中，所述基底内设置有多个间隔设置的有源区，所述基底上设置有多条间隔设置且沿第一方向延伸的位线，每条所述位线至少电连接一个所述有源区，所述旋涂硬掩模层填充在所述位线之间并覆盖所述位线；去除部分所述旋涂硬掩模层，形成多条间隔设置且沿第二方向延伸的第一沟道；在所述第一沟道内形成第一牺牲层，所述第一牺牲层填充于所述第一沟道内；去除所述第一牺牲层之间的所述旋涂硬掩模层，形成第二沟道；在所述第二沟道内形成第一支撑层，所述第一支撑层填充于所述第二沟道内；去除所述第一牺牲层，并将位于相邻所述位线之间的所述第一沟道延伸至所述有源区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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