恭喜广州华星光电技术有限公司史文获国家专利权
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龙图腾网恭喜广州华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板的制备方法及阵列基板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114122012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111328824.8,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权阵列基板的制备方法及阵列基板是由史文设计研发完成,并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板的制备方法及阵列基板在说明书摘要公布了:本申请公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板。所述阵列基板包括氧化物半导体层、栅极和形成在所述氧化物半导体层和所述栅极之间的金属氧化物绝缘层,所述金属氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层相接触,其中,在形成所述金属氧化物绝缘层的步骤之后,所述阵列基板的制备方法包括以下步骤:对所述金属氧化物绝缘层进行激光照射处理。本申请提高了氧化物TFT的迁移率。
本发明授权阵列基板的制备方法及阵列基板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板包括氧化物半导体层、栅极和形成在所述氧化物半导体层和所述栅极之间的金属氧化物绝缘层,所述金属氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层相接触,其中,在形成所述金属氧化物绝缘层的步骤之后且在形成所述氧化物半导体层之前,所述阵列基板的制备方法包括以下步骤:采用飞秒激光技术对所述金属氧化物绝缘层进行激光照射,所述金属氧化物绝缘层中的氧空位含量大于23%。
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