买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜深圳先进技术研究院申请的专利突触器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111428700.7，技术领域涉及：H10F77/00；该发明授权突触器件及其制作方法是由钟高阔设计研发完成，并于2021-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本突触器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体结构的领域，尤其是涉及一种突触器件及其制作方法，突触器件包括突触器件，包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底上；底电极层，形成于所述缓冲层上；铁电层，形成于所述底电极层上；半导体光敏层，形成于所述铁电层上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极间隔设置于所述半导体光敏层上。本申请能够实现突触器件的短时程可塑性以及长时程可塑性，并且两种可塑性能够实现切换，模拟生物突触长时程增强和长时程抑制作用，有着基本的神经形态学习记忆规律，能够模拟人脑神经元和突触，适用于人工神经网络计算中。

本发明授权突触器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种突触器件，其特征在于，包括：衬底（1），所述衬底（1）的材料包括云母材料；缓冲层（2），形成于所述衬底（1）上，所述缓冲层（2）的材料为CoFeO3，所述缓冲层（2）的厚度范围为5nm-10nm；底电极层（3），形成于所述缓冲层（2）上，所述底电极层（3）的材料包括SrRuO3，所述底电极层（3）的厚度为30nm-60nm；所述底电极层（3）在所述缓冲层（2）上外延生长；铁电层（4），形成于所述底电极层（3）上，所述铁电层（4）的材料包括PbZr0.2Ti0.8O3，所述铁电层（4）的厚度为180nm-250nm；半导体光敏层（5），形成于所述铁电层（4）上，所述半导体光敏层（5）的材料包括ZnO，所述半导体光敏层（5）的厚度为25nm-50nm；源电极（6）和漏电极（7），所述源电极（6）和所述漏电极（7）分隔设置于所述半导体光敏层（5）上；所述半导体光敏层（5）对于紫外光敏感，在源电极（6）和漏电极（7）之间的紫外光照射下，所述半导体光敏层（5）会产生不同数量的光生载流子，并且光生载流子在电场下进行定向移动，进而改变通过源电极（6）或漏电极（7）的电流，以模拟生物突触在光信号刺激下的响应；在所述底电极层（3）施加电压，源电极（6）和漏电极（7）的源漏金属电极与所述底电极层（3）之间形成电位差产生电场，以使所述半导体光敏层（5）中的光生载流子在电场方向下发生移动，以使源电极（6）和漏电极（7）之间形成导电沟道，在源电极（6）和漏电极（7）的源漏金属电极与外部回路连接的状态下，所述源漏金属电极输出电流IDS；在所述底电极层（3）施加的是一个负向脉冲电压，导致电流IDS的下降，并且在脉冲间隔稳定，而所述铁电层（4）在负向脉冲电压作用下发生极化翻转，会调控所述半导体光敏层（5）的电导，所述调控是非易失性的；给予所述突触器件在0.26mWcm2紫外光下，每次照射2S，每两次照射之间间隔8S的64个紫外光脉冲刺激，导致源漏极电流IDS的增强，对应于生物突触的长时程增强作用；后，给予所述突触器件64个脉冲峰值为-0.5V，脉宽为6S,脉冲间隔时间为4S的负向栅极脉冲电压，所述铁电层（4）在负向栅极脉冲电压作用下发生极化翻转，调控所述半导体光敏层（5）的电导，导致源漏极电流IDS的减弱，在脉冲间隔稳定，多个负向栅极脉冲电压形成长时程抑制作用使得源漏极电流IDS回到初始态，对应于生物突触的长时程抑制作用。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳先进技术研究院，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区西丽街道大学城学苑大道1068号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。