恭喜福建省晋华集成电路有限公司颜逸飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利动态随机存取存储器装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111452104.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储器装置及其形成方法是由颜逸飞设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取存储器装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种动态随机存取存储器装置及其形成方法，包括衬底、多条位线、多个触点、介电层、多个存储节点焊盘以及电容结构。位线设置于衬底上，包括多条第一位线以及至少一条第二位线。触点设置于衬底上并与位线交替且分隔地设置。介电层覆盖于触点以及位线上方。存储节点焊盘设置于介电层内并分别接触触点。电容结构设置在存储节点焊盘上，包括多个第一电容、以及位于至少一条第二位线上方的至少一第二电容。由此，动态随机存取存储器装置可达到更为优化的元件效能。
本发明授权动态随机存取存储器装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器装置，其特征在于，包括：衬底；所述衬底包括存储区域和外围区域；多条位线，设置于所述衬底上，所述位线包括所述存储区域内的多条第一位线以及所述外围区域内的至少一条第二位线，所述至少一条第二位线设置在所有的所述第一位线的外侧；所述至少一条第二位线是虚置位线；多个触点，设置于所述衬底上并与所述位线交替且分隔地设置；介电层，覆盖于所述触点以及所述位线上方；多个存储节点焊盘，设置于所述介电层内并分别接触所述触点；以及电容结构，设置在所述存储节点焊盘上，所述电容结构包括多个第一电容分别对位于所述存储节点焊盘，以及至少一第二电容位于所述至少一条第二位线的上方。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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