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龙图腾网恭喜甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利扇出型封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111503517.9，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权扇出型封装结构及其制备方法是由何正鸿;徐玉鹏;李利;张超;钟磊设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇出型封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，将主体芯片设置在第一塑封体内，同时在第一塑封体的第一表面开设第一凹槽，将第一贴装芯片贴装在第一凹槽内，并且在第一塑封体内设置第一导电柱，以实现主体芯片的电连接。相较于常规技术，本发明通过将主体芯片和第一贴装芯片堆叠嵌设在第一塑封体内，第一贴装芯片在空间上堆叠于主体芯片上方，从而相较于平铺型的扇出型结构能够大幅减小封装尺寸，缩小封装面积，有利于产品的小型化。同时主体芯片通过第一导电柱与第一布线组合层连接，能够大幅减小传输速率，使得其扇出型产品堆叠性能更加卓越。

本发明授权扇出型封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：第一塑封体，所述第一塑封体具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述第一塑封体内的主体芯片；设置在所述第一塑封体内，并外露于所述第一表面的第一贴装芯片；设置在所述第一表面的第一布线组合层；设置在所述第一布线组合层上的第一焊球；其中，所述第一塑封体内还设置有第一导电柱，所述第一导电柱贯通至所述主体芯片，并外露于所述第一表面，所述第一布线组合层通过所述第一导电柱与所述主体芯片电连接，所述第一表面采用激光开槽工艺形成有第一凹槽，所述第一贴装芯片贴装在所述第一凹槽内，所述主体芯片和所述第一贴装芯片间隔设置，所述第一布线组合层与所述第一贴装芯片电连接；所述扇出型封装结构还包括采用与所述第一塑封体同种塑封材料的第二塑封体，所述主体芯片外露于所述第二表面，所述第二塑封体设置在所述第二表面，并覆盖所述主体芯片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽电子(宁波)股份有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。