买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111545321.6，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种半导体器件的制备方法是由卓明川;陈宏;曹秀亮;刘张李设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源区和漏区；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述衬底及所述栅极结构；在所述第一介质层上形成顶层金属层，且所述顶层金属层与所述栅极结构、所述源区和所述漏区电连接；在所述第一介质层及所述顶层金属层上顺形地形成第二介质层；刻蚀所述顶层金属层上方的所述第二介质层的部分厚度，并对所述第二介质层进行平坦化工艺，通过刻蚀工艺均匀所述第二介质层的形状，进而对所述第二介质层的研磨速度，避免所述顶层金属层收集等离子体沉积过程中产生的游离电荷而导致的等离子损伤及漏电问题。

本发明授权一种半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源区和漏区；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述衬底及所述栅极结构；在所述第一介质层上形成顶层金属层，且所述顶层金属层与所述栅极结构、所述源区和所述漏区电连接；在所述第一介质层及所述顶层金属层上顺形地形成第二介质层；刻蚀所述顶层金属层上方的所述第二介质层的部分厚度，且刻蚀所述顶层金属层上方的所述第二介质层的部分宽度，在所述顶层金属层上方的所述第二介质层的中形成至少一个凸起部，在所述顶层金属层上方的所述第二介质层的图案的两侧均形成所述凸起部，且所述凸起部之间的形状相同；对所述第二介质层进行平坦化工艺直至去除所述凸起部以减薄所述顶层金属层上方的所述第二介质层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。