恭喜天津市滨海新区微电子研究院毕津顺获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津市滨海新区微电子研究院申请的专利一种三值逻辑晶体管器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111648298.3，技术领域涉及：H10D84/90；该发明授权一种三值逻辑晶体管器件结构及其制备方法是由毕津顺设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三值逻辑晶体管器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三值逻辑晶体管器件结构及其制备方法，该结构包括：一衬底，以提供支撑；重掺杂隧穿区；位于重掺杂隧穿区上方的埋氧层；位于埋氧层上的顶层硅膜；重掺杂隧穿区两侧的源区和漏区；位于源区、漏区和重顶层硅膜上的栅氧层以及栅极。本发明使用绝缘体上半导体结构，即在重掺杂隧穿区上方增加一层埋氧层，在实现CMOS器件三值逻辑的同时，可有效避免高浓度掺杂对沟道上方阈值电压VT的影响。
本发明授权一种三值逻辑晶体管器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三值逻辑晶体管器件结构，其特征在于：该结构包括：一衬底，以提供支撑；重掺杂隧穿区；位于重掺杂隧穿区上方的埋氧层；位于埋氧层上的顶层硅膜；重掺杂隧穿区两侧的源区和漏区；位于源区、漏区和重顶层硅膜上的栅氧层以及栅极，源区和漏区从SOI晶片顶表面延伸至重掺杂隧穿区两侧并与重掺杂隧穿区接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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