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龙图腾网恭喜深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111683182.3，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法是由许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法，而本申请通过一次光刻形成源极开槽、栅极开槽和漏极开槽，接着在栅极开槽处设置光刻胶，然后再沉积第一金属层以此形成源极后漏极的接触层，与此同时由于光刻胶的设置使得栅极开槽位置的金属沉积是沉积在光刻胶上并不会沉积到栅极开槽位置，再然后将光刻胶进行湿法去除，最后在栅极开槽处形成栅极接触层，以此通过光刻步骤同时形成源级、漏极和栅极的开槽，对于栅极关键尺寸，栅极到源、漏极的关键距离等通过光刻完成，避免使用传统集成工艺的多次光刻带来的对准误差，从而实现了高电子迁移率晶体管可以更加小型化，提高其射频性能效果。

本发明授权一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法在权利要求书中公布了：1.一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次沉积第一介质层、第二介质层及第三介质层；对所述第一介质层、第二介质层及第三介质层进行光刻形成源极开槽、栅极开槽和漏极开槽；对光刻过后的所述第二介质层进行湿法刻蚀形成凹槽结构；在所述栅极开槽处形成反转型的光刻胶；沉积第一金属层；通过湿法去除所述光刻胶及所述光刻胶上的所述第一金属层；通过湿法剥离所述第二介质层和所述第三介质层；在所述栅极开槽处形成栅极接触层；其中，在所述栅极开槽处形成反转型的光刻胶步骤中，所述光刻胶从所述栅极开槽的底部向上延伸预设高度，所述光刻胶的厚度大于所述栅极开槽的深度，所述光刻胶的宽度大于所述栅极开槽的宽度；且所述光刻胶顶部的宽度小于被光刻过后的所述第一介质层的长度，使得所述光刻胶不会延伸至所述漏极开槽和所述源极开槽的位置；其中，所述在所述栅极开槽处形成栅极接触层的步骤中，包括如下步骤：依次沉积第四介质层和第五介质层；在所述栅极开槽位置对所述第五介质层进行开窗；在所述栅极开槽位置沉积第二金属层，所述第二金属层为栅极接触层。

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