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龙图腾网恭喜西华大学申请的专利基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210026167.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构是由阳小明;李天倩;曹太强;吴健;李佰强;杨志国设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构在说明书摘要公布了：本发明提供基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构，包括结构上面的源电极、栅电极、漏电极；源电极下面有p+、n+区域，p+区域用于消除寄生NPN晶体管效应，n+区域用于收集沟道流过来的电子；栅电极下面有双扩散形成的P阱，为n沟道；当栅电压大于阈值电压时，栅氧层下面形成电子层，器件导通；漏极下面为n+区域；栅电极、漏电极之间为漂移区，用于提高器件关断时的耐压；漂移区的下方为低载流子寿命层；低载流子寿命层下面是埋氧层，将漂移区和衬底作了电气隔离；埋氧层下面是P型衬底，器件底部为衬底电极。该发明广泛应用于高压SOI横向功率器件与集成电路；以较低的成本提高了SOI功率器件的耐压。

本发明授权基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构在权利要求书中公布了：1.基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构，包括结构上面的源电极（1）、栅电极（2）、漏电极（3）；源电极（1）下面有p+、n+区域，p+区域用于消除寄生NPN晶体管效应，n+区域用于收集沟道流过来的电子；栅电极（2）下面有双扩散形成的P阱，为n沟道；当栅电压大于阈值电压时，栅氧层下面形成电子层，器件导通；漏电极（3）下面为n+区域；栅电极（2）、漏电极（3）之间为漂移区（4），用于提高器件关断时的耐压；其特征在于：漂移区（4）的下方为低载流子寿命层（5），由N型硅中引入深能级复合中心得到；低载流子寿命层（5）下面是埋氧层（6），将漂移区（4）和衬底做了电气隔离；埋氧层（6）下面是P型衬底（7），器件底部为衬底电极；通过在漂移区（4）与埋氧层（6）之间引入一低载流子寿命的硅层；设计SOI横向功率器件的耐压时，优化器件参数使击穿发生在漏电极下方顶层硅与埋氧层界面硅侧处；而引入的低载流子寿命硅层提高器件击穿处的临界击穿电场，从而提高器件的耐压。

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