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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种芯片热点的温度测量结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114354008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210032049.X，技术领域涉及：G01K13/00；该发明授权一种芯片热点的温度测量结构及方法是由孔延梅;从波;刘瑞文;焦斌斌设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片热点的温度测量结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种芯片热点的温度测量结构及方法，涉及半导体封装散热领域。所述芯片热点的温度测量结构包括：热电堆测温单元、芯片单元、微流散热单元和冷却工质供应单元；所述热电堆测温单元设置在所述芯片单元一侧，所述微流散热单元位于所述芯片单元的另一侧，所述冷却工质供应单元位于所述微流散热单元远离所述芯片单元的一侧；所述热电堆测温单元，基于多个所述实时温度值及多个所述温度差值，确定所述芯片的多个所述热点的最高温度值和最大温度差值，用以基于所述最高温度值和所述最大温度差值确定所述芯片的性能参数，实现对微流散热性能的精准评估和芯片工作状态的实时精准监测，还提高了测温方法的准确性和可靠性。

本发明授权一种芯片热点的温度测量结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片热点的温度测量结构，其特征在于，所述芯片热点的温度测量结构包括：热电堆测温单元、芯片单元、微流散热单元和冷却工质供应单元；所述热电堆测温单元设置在所述芯片单元一侧，所述微流散热单元位于所述芯片单元的另一侧，所述冷却工质供应单元位于所述微流散热单元远离所述芯片单元的一侧；所述冷却工质供应单元，用于在冷却工质的流动下对所述芯片的热量进行输运，对带有所述微流散热单元的所述芯片上多个热点的温度进行降低；所述冷却工质供应单元包括：冷却工质供应层，以及形成在所述冷却工质供应层上的冷却工质入口和冷却工质出口；所述热电堆测温单元，用于确定多个所述热点的实时温度值，以及多个所述热点两两之间的温度差值；基于多个所述实时温度值及多个所述温度差值，确定所述芯片的多个所述热点的最高温度值和最大温度差值，用以基于所述最高温度值和所述最大温度差值确定所述芯片的性能参数；其中，所述热点指的是所述芯片内部功率分布不均匀时，所述芯片内部微尺度上出现温度变化点；所述性能参数包括芯片的工作状态参数、芯片上多点温度均匀性参数和微流散热单元散热性能参数；所述热电堆测温单元设置在所述芯片单元中多个热点的位置处，所述微流散热单元包括微流道冷板，以及设置在所述微流道冷板背面的相互连通的微流道和冷却工质分液流道；所述微流道设置于所述多个热点的正投影对应的所述微流道冷板上；所述冷却工质分液流道在所述冷却工质供应层上的正投影与所述冷却工质入口在所述冷却工质供应层上的正投影存在重合区域；所述冷却工质分液流道在所述冷却工质供应层上的正投影与所述冷却工质出口在所述冷却工质供应层上的正投影存在重合区域。

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