恭喜佛山市国星半导体技术有限公司黎银英获国家专利权
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龙图腾网恭喜佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210098321.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法是由黎银英;彭凌;何德义;李进设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法，涉及半导体光电器件测试领域。该抽检方法包括：S1：根据电极形成的批次对晶圆进行分类，得到分类后的多个晶圆组；S2：对每组晶圆组进行抽样并标记，以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆；S3：对标记晶圆进行测试分选；并在每个标记晶圆中抽出一个或多个标记晶粒；S4：对标记晶粒的电极粘附性进行测试。本发明实现了晶圆、晶粒的自动选定、取样，大幅度提升了取样效率和准确性；同时也有效避免了漏检，避免不合格的风险片流出。
本发明授权LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片电极粘附性的抽检方法，其特征在于，包括：S1：根据电极蒸镀锅次对晶圆进行分类，得到分类后的多个晶圆组；其中，将同一锅蒸镀的晶圆分为一晶圆组；S2：对每组晶圆组进行抽样并标记，以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆；S3：对标记晶圆进行测试分选；并在每个标记晶圆中抽出一个或多个标记晶粒；其中，在晶粒取样时，设置标记晶粒的取样坐标，以使每个标记晶圆中标记晶粒的取样位置、取样数一致；S4：对标记晶粒的电极粘附性进行测试，并判断电极粘附性是否位于预设阈值区间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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