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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210097229.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法是由陈勇跃;谭俊设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法，提供基底，位于基底上相互间隔的多晶栅；多晶栅之间为源漏外延区域；源漏外延区域形成有凹槽；在凹槽中通过添加HCl气氛外延形成种子层；在种子层上通过添加HCl气氛外延形成体层；在体层上外延形成帽层；通入HCl作为刻蚀气体，同时原位通入GeH4气氛催化加强刻蚀，使得帽层被回刻。本发明提供多晶栅覆盖层上改善附着缺陷的锗硅原位催化外延方法，包含种子层，以及体层和帽层。提升对源漏区薄膜和多晶栅覆盖区缺陷的刻蚀选择比，在回刻帽层时迅速将多晶栅覆盖层处的缺陷消除，完成整个外延过程，从而实现器件同时满足良率的保持和高产能输出的需求。

本发明授权一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法在权利要求书中公布了：1.一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供基底，位于基底上相互间隔的多晶栅；所述多晶栅之间为源漏外延区域；所述源漏外延区域形成有凹槽；步骤二、在所述凹槽中通过添加HCl气氛外延形成种子层；步骤三、在所述种子层上通过添加HCl气氛外延形成体层；步骤四、在所述体层上外延形成帽层；外延形成所述帽层的过程中取消通入HCl气氛；所述帽层材料为Si；步骤五、通入HCl作为刻蚀气体，同时原位通入GeH4气氛催化加强刻蚀，使得Si帽层被回刻，利用Ge在多晶栅的附着缺陷表面比在Si帽层表面更容易扩散进内部来加快刻蚀速率；同时原位通入GeH4气氛催化加强刻蚀提升对源漏区和多晶栅覆盖区缺陷的刻蚀选择比，在回刻帽层时迅速将多晶栅覆盖层处的缺陷消除。

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