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龙图腾网恭喜苏州聚谦半导体有限公司申请的专利存储电容器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446782B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210103068.7，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权存储电容器的制造方法是由黄子伦设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储电容器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储电容器的制造方法，包括：提供半导体衬底；形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层形成第一沟槽；形成位于第一沟槽的底部和侧壁，以及第一掩膜层上方的第二掩膜层，使得形成第二沟槽；去除第一掩膜层上方的第二掩膜层、第一掩膜层、以及位于第二沟槽的底部的第二掩膜层；依次形成第三掩膜层、第四掩膜层和第五掩膜层；对第四掩膜层和第五掩膜层研磨减薄至暴露出第二掩膜层；去除第二掩膜层和第四掩膜层，形成第三沟槽；以第三掩膜层、第四掩膜层、第五掩膜层作为阻挡层，刻蚀半导体衬底，于半导体衬底内形成第四沟槽；去除第三掩膜层、第四掩膜层和第五掩膜层；形成介质层和导电层，该方法能够降低工艺复杂度和生产成本。

本发明授权存储电容器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储电容器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成位于所述半导体衬底上的第一掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层，形成第一沟槽；形成位于所述第一沟槽的底部和侧壁，以及所述第一掩膜层上方的第二掩膜层，使得形成第二沟槽，所述第二沟槽的槽宽和槽深均小于所述第一沟槽的槽宽和槽深；去除所述第一掩膜层上方的第二掩膜层、所述第一掩膜层、以及位于所述第二沟槽的底部的第二掩膜层；依次形成位于剩余的第二掩膜层上的第三掩膜层、所述第三掩膜层上的第四掩膜层和所述第四掩膜层上的第五掩膜层；对所述第四掩膜层和第五掩膜层研磨减薄至暴露出所述第二掩膜层；去除所述第二掩膜层和第四掩膜层，形成第三沟槽；以所述第三沟槽周围的第三掩膜层、所述第四掩膜层、所述第五掩膜层作为阻挡层，刻蚀所述半导体衬底，于所述半导体衬底内形成第四沟槽；去除所述第四沟槽上方的作为阻挡层的第三掩膜层、所述第四掩膜层、所述第五掩膜层；形成位于所述第四沟槽上的介质层和导电层。

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