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龙图腾网恭喜西安理工大学申请的专利一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114441920B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210104182.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路是由郭仲杰;卢沪;刘楠;曹喜涛;刘申;邱子忆;李梦丽设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路，包括总剂量效应检测电路和补偿电流产生电路；总剂量效应检测电路包括电阻R和MOS管Mn，补偿电流产生电路包括MOS管Mp，电阻R的第一端和MOS管Mp的栅极相连接，MOS管Mp的源极为补偿电流产生电路的输出端；电阻R的第一端和MOS管Mp的漏极连接有电流源；电阻R的第二端连接MOS管MN的漏极和栅极，MOS管Mn的源极接地，MOS管Mn的源极为总剂量效应检测电路的输入端。可实现对总剂量效应进行连续性检测的电路，并且在可以根据辐照剂量大小的变化，直接产生相应的补偿电流，达到在检测的同时直接进行加固的目的。

本发明授权一种总剂量效应的检测与加固电路及方法及模拟电路在权利要求书中公布了：1.一种总剂量效应的检测与加固电路的工作方法，其特征在于，所述电路包括总剂量效应检测电路和补偿电流产生电路；总剂量效应检测电路包括电阻R和MOS管Mn，补偿电流产生电路包括MOS管Mp，电阻R的第一端和MOS管Mp的栅极相连接，MOS管Mp的源极为补偿电流产生电路的输出端；电阻R的第一端与电流源IREF的输出端连接，电流源IREF的输入端与VDD连接，MOS管Mp的漏极连接VDD；电阻R的第二端连接MOS管Mn的漏极和栅极，MOS管Mn的源极接地；所述工作方法包括：未受总剂量效应时，MOS管Mn无漏电流，检测管Mn的栅源电压大小为固定值，此时通过修改电阻R的大小进而控制VM的电压大小，使其控制的补偿电流管Mp处于关断状态；发生总剂量效应时，MOS管Mn出现漏电流，其栅源电压降低，此时通过检测电压VM的变化得到电路目前遭受总剂量效应的程度，即剂量值的大小；与此同时VM的变化又控制着补偿管Mp，从而对电路存在的漏电流进行补偿；检测电压VM降低，MOS管Mp打开，输出补偿电流；检测电压VM的大小为： ；VGSn为MOS管Mn的栅源电压，IREF·R为电阻R上的压降。

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