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龙图腾网恭喜北京邮电大学;中国科学院半导体研究所申请的专利一种硅基III-V族半导体材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210220200.2，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权一种硅基III-V族半导体材料的制备方法是由任晓敏;韦欣;王琦;王俊;刘昊;刘凯;张翼东;李健;江晨;王臻;刘倬良;杨一粟;黄永清;蔡世伟;李川川设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基III-V族半导体材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层即完整结构顶部外延层的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。

本发明授权一种硅基III-V族半导体材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基III-V族半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上至少两次重复生长III-V族半导体基本外延结构单元，形成重复生长外延结构；在所述重复生长外延结构上继续外延生长III-V族半导体材料和或III-V族半导体器件结构；其中，所述重复生长外延结构包括两个或两个以上的III-V族半导体基本外延结构单元；所述基本外延结构单元的生长过程，包括：（1）在第一温度条件下生长低温层；（2）在第二温度条件下，在所述低温层上生长中温层，所述第二温度条件高于第一温度条件；（3）在第三温度条件下，在所述中温层上外延生长高温层，所述第三温度条件高于第二温度条件；（4）在所述高温层外延生长过程中暂停高温层外延生长，进行热循环退火，随后继续高温层外延生长；所述热循环退火使得所述III-V族半导体基本外延结构单元的低温层顶部区域与低温层底部区域发生弱关联的晶化，以中断穿透位错在低温层向上传播的部分途径；所述热循环退火同时使得所述III-V族半导体基本外延结构单元的高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，以提升高温层晶体质量。

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