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龙图腾网恭喜广东汇芯半导体有限公司申请的专利集成栅极驱动芯片的功率半导体器件及PFC电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210305004.5，技术领域涉及：H01L23/50；该发明授权集成栅极驱动芯片的功率半导体器件及PFC电路是由冯宇翔;左安超;华庆设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成栅极驱动芯片的功率半导体器件及PFC电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成栅极驱动芯片的功率半导体器件及PFC电路，功率半导体器件包括IGBT芯片、栅极驱动芯片和介质隔离层，其中IGBT芯片的表面设置有栅极，栅极驱动芯片设置于IGBT芯片的一侧，且栅极驱动芯片的表面设置有驱动输出极，其中驱动输出极和栅极电连接，介质隔离层设置于IGBT芯片和栅极驱动芯片之间。本发明的功率半导体器件通过将IGBT芯片和栅极驱动芯片二者集成，二者之间通过介质隔离层实现隔离，以此有效了缩小了单独的两颗芯片的体积，从而减少了应用到控制电路中如PFC电路中的PCB布线的面积。

本发明授权集成栅极驱动芯片的功率半导体器件及PFC电路在权利要求书中公布了：1.一种集成驱动芯片的功率半导体器件，其特征在于，包括：IGBT芯片，所述IGBT芯片的表面设置有栅极；栅极驱动芯片，所述栅极驱动芯片设置于所述IGBT芯片的一侧，且所述栅极驱动芯片的表面设置有驱动输出极，其中所述驱动输出极和所述栅极电连接；介质隔离层，设置于所述IGBT芯片和所述栅极驱动芯片之间；所述IGBT芯片和栅极驱动芯片包括共用的P型衬底，所述P型衬底的正面设置有埋氧层，厚度为2um；所述IGBT芯片包括LIGBT元胞，所述栅极驱动芯片包括驱动信号处理单元和CMOS元胞，其中所述CMOS元胞做为所述LIGBT元胞的栅极驱动单元，所述驱动输出极为所述栅极驱动单元的输出端，所述LIGBT元胞和所述CMOS元胞分别设置在所述介质隔离层的两侧；所述LIGBT元胞包括：第一N型漂移区；形成所述第一N型漂移区正面的N型缓冲区、集电区、第一P阱区、发射区，其中所述集电区设置在所述N型缓冲区内，所述发射区设置在所述第一P阱区内，所述第一P阱区靠近所述介质隔离层设置；所述第一N型漂移区的表面还设置有第一绝缘层，所述发射区和所述第一P阱区的表面设置穿过所述第一绝缘层的导电极以形成发射极，所述集电区的表面设置贯穿过所述第一绝缘层的导电极以形成集电极，在第一P阱区的正面还设置有贯穿所述第一绝缘层的栅极介质层，所述第一绝缘层之上设置连接所述栅极介质层的栅极。

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