买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海精测半导体技术有限公司申请的专利一种基于双斐索干涉仪的晶片厚度测量装置及测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115014213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210594888.0，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权一种基于双斐索干涉仪的晶片厚度测量装置及测量方法是由叶星辰;刘珈汐;陈梦来设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双斐索干涉仪的晶片厚度测量装置及测量方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于双斐索干涉仪的晶片厚度测量装置及测量方法，该装置包括环境检测系统和中央处理单元，环境检测系统用于测量第一参考镜和第二参考镜周边的环境参数，中央处理单元用于对空腔形貌进行Zernike拟合，将空腔形貌分解为1阶形貌和大于1阶的高阶形貌，利用不同环境下测量得到的环境参数，通过拟合构建环境参数与参考镜倾斜系数关系式，利用所述关系式计算测量时的1阶形貌修正量，利用1阶形貌修正量替换原1阶形貌，进而计算晶片各坐标点的厚度。通过环境检测系统实时监控两参考镜的倾斜变化，进而对晶片绝对厚度的倾斜量进行补偿，由此实现晶片绝对厚度分布进行精确重建。

本发明授权一种基于双斐索干涉仪的晶片厚度测量装置及测量方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双斐索干涉仪的晶片厚度测量装置，其特征在于，包括：对称设置的第一斐索干涉仪和第二斐索干涉仪，第一斐索干涉仪包括第一参考镜，第二斐索干涉仪包括第二参考镜，所述第一参考镜和第二参考镜之间形成能够放置晶片的空腔；所述第一斐索干涉仪和第二斐索干涉仪基于干涉测量原理，获取待测晶片前表面形貌、后表面形貌以及空腔形貌；环境检测系统，用于测量第一参考镜和第二参考镜周边的环境参数；中央处理单元，用于对空腔形貌进行Zernike拟合，将空腔形貌分解为1阶形貌和大于1阶的高阶形貌，、为倾斜系数，用于建立所述环境参数和倾斜系数的关系式，所述关系式为至少一阶的多项式，利用不同环境下测量得到的所述环境参数和倾斜系数，通过拟合确定所述关系式，用于利用所述关系式计算测量时的1阶形貌修正量，用于根据下式计算晶片上坐标点的厚度： 式中表示通过测厚机构测量晶片实际厚度所得的平移补偿量；隔离腔体，所述第一参考镜和第二参考镜设置于所述隔离腔体内；所述环境检测系统包括多个传感器，所述多个传感器中至少两个传感器设置于所述隔离腔体内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海精测半导体技术有限公司，其通讯地址为：201700 上海市青浦区徐泾镇双浜路269、299号1幢1、3层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。