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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115186536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210759852.3，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统是由李兴冀;荆宇航;杨剑群;徐晓东;刘中利设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：利用分子动力学方法对半导体器件进行缺陷演化模拟，并获取所述半导体器件的缺陷愈合率；获取所述半导体器件的初始缺陷浓度，并根据所述初始缺陷浓度和所述缺陷愈合率，获得所述半导体器件的稳态缺陷浓度；将所述半导体器件的稳态缺陷浓度作为输入参数，进行所述半导体器件的性能模拟，获取所述半导体器件的性能与所述缺陷愈合率之间的关系。本发明在使用分子动力学方法获得缺陷愈合率之后，将愈合率作为输入参数进行半导体器件性能模拟，通过半导体器件的性能直观且准确地表征半导体器件辐照的缺陷愈合率。

本发明授权一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法，其特征在于，包括：步骤S1，利用分子动力学方法对半导体器件进行缺陷演化模拟，并获取所述半导体器件的缺陷愈合率；获取所述缺陷演化模拟过程中缺陷产生数量最大时的峰态结构和缺陷产生数量稳定时的稳态结构，并分别获取所述峰态结构和所述稳态结构中的缺陷信息；根据所述峰态结构中的缺陷信息和所述稳态结构中的缺陷信息，获取所述缺陷愈合率；步骤S2，获取所述半导体器件的初始缺陷浓度，并根据所述初始缺陷浓度和所述缺陷愈合率，获得所述半导体器件的稳态缺陷浓度；其中，所述初始缺陷浓度是指未考虑缺陷愈合时所述半导体器件中的缺陷浓度；步骤S3，将所述半导体器件的稳态缺陷浓度作为输入参数，进行所述半导体器件的性能模拟，获取所述半导体器件的性能参数与所述缺陷愈合率之间的关系。

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