恭喜友达光电股份有限公司江家维获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜友达光电股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210826279.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置及其制造方法是由江家维;黄震铄;陈衍豪;范扬顺设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括基板、第一栅极、半导体层、第一栅介电层、第二栅介电层、源极、漏极以及压电装置。第一栅极位于基板之上。半导体层于基板的顶面的法线方向上重叠于第一栅极。第一栅介电层位于半导体层与第一栅极之间。第二栅介电层位于半导体层之上。源极以及漏极电连接半导体层。压电装置位于第二栅介电层之上，且包括彼此堆叠的金属氧化物电极、压电材料以及顶电极。半导体层位于金属氧化物电极与第一栅极之间。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：基板；第一栅极，位于该基板之上；半导体层，在该基板的顶面的法线方向上重叠于该第一栅极；第一栅介电层，位于该半导体层与该第一栅极之间；第二栅介电层，位于该半导体层之上；源极以及一漏极，电连接该半导体层；压电装置，位于该第二栅介电层之上，且包括彼此堆叠的金属氧化物电极、压电材料以及顶电极，其中该压电装置的该金属氧化物电极包括经氟处理的铟镓锌氧化物，该金属氧化物电极中的氟含量大于该半导体层中的氟含量，该压电材料位于该金属氧化物电极与该顶电极之间，该金属氧化物电极位于该压电材料与该第二栅介电层之间，其中该半导体层位于该金属氧化物电极与该第一栅极之间；以及层间介电层，位于该第二栅介电层上，其中该层间介电层包括氢元素并接触该金属氧化物电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人友达光电股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号