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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利空气间隙隔离结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132739B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210859305.2，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权空气间隙隔离结构的制造方法是由单铎;陆神洲设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本空气间隙隔离结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种空气间隙隔离结构的制造方法，包括：步骤一、形成第一图形结构。步骤二、采用以非成膜气体形成的第一等离子体并施加偏压进行预处理，以在各第一图形结构的顶部形成电子聚集区以及在各第一沟槽的底部形成正离子聚集区。步骤三、采用CVD工艺沉积第一介质膜，利用电子聚集区的吸引作用以及正离子聚集区的排斥作用使CVD工艺过程中的带正电的反应物富集在第一图形结构的顶角处，使第一介质膜在第一沟槽的顶部开口处产生夹断并在夹断位置的底部形成空气间隙隔离结构。步骤四、对第一介质膜的表面进行平坦化。本发明能在不增加干法刻蚀沟槽的难度的条件下实现在填充介质膜过程中对沟槽进行迅速夹断并从而增加空气间隙隔离结构的体积。

本发明授权空气间隙隔离结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种空气间隙隔离结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底的正面之上形成第一图形结构，各所述第一图形结构之间具有第一沟槽；步骤二、采用以非成膜气体形成的第一等离子体并对所述第一等离子体施加垂直于所述半导体衬底的正面的偏压进行预处理，所述预处理在各所述第一图形结构的顶部形成电子聚集区以及在各所述第一沟槽的底部形成正离子聚集区，所述电子聚集区将所述第一图形结构的顶部表面和顶角包覆；步骤三、采用CVD工艺沉积第一介质膜，利用所述电子聚集区的吸引作用以及所述正离子聚集区的排斥作用，使所述CVD工艺过程中的带正电的反应物富集在所述第一图形结构的顶角处，使得所述第一介质膜在所述第一沟槽的顶角处的生长速率增加以及在所述第一沟槽的底部的生长速率降低，使所述第一介质膜在所述第一沟槽的顶部开口处产生夹断并在夹断位置的底部形成空气间隙隔离结构；步骤四、采用化学机械研磨工艺对所述第一介质膜的表面进行平坦化。

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