恭喜上海华力微电子有限公司杜重凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力微电子有限公司申请的专利像素结构、图像传感器及终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210899224.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权像素结构、图像传感器及终端是由杜重凯;秋沉沉;钱俊设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素结构、图像传感器及终端在说明书摘要公布了：本发明公开了像素结构、图像传感器及终端，属于图像传感器工艺技术领域，该像素结构，包括衬底；第一导电类型的浮置扩散区，形成在所述衬底中；至少两个面积不同的第二导电类型的感光区，形成在所述衬底中，所有的所述感光区围绕所述浮置扩散区分布且共用所述浮置扩散区；隔离区，设置在位于所述浮置扩散区同一侧的相邻所述感光区之间的衬底中；传输栅，与各个所述感光区一一对应且设置在各个所述感光区的衬底上。通过在像素结构中设置具有不同面积的感光区，由此可以通过各感光区获得不同感光度的图像，进而对这些不同感光度的图像进行合成处理，从而能够得到高HDR图像，改善现有技术中图像过曝或欠曝的问题。
本发明授权像素结构、图像传感器及终端在权利要求书中公布了：1.一种像素结构，其特征在于，包括：衬底；第一导电类型的浮置扩散区，形成在所述衬底中；至少两个面积不同的第二导电类型的感光区，形成在所述衬底中，所有的所述感光区围绕所述浮置扩散区分布且共用所述浮置扩散区；隔离区，设置在位于所述浮置扩散区同一侧的相邻所述感光区之间的衬底中；传输栅，与各个所述感光区一一对应且设置在各个所述感光区的衬底上；各个所述感光区的形状均为圆形，且面积最大的所述感光区位于所述浮置扩散区的一侧，其余的所述感光区位于所述浮置扩散区的另一侧，所述浮置扩散区的形状为一段圆弧，且所述圆弧以所述面积最大的所述感光区的圆心为圆心，且半径大于所述面积最大的所述感光区的半径。
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