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龙图腾网恭喜深圳市嘉敏利光电有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115313150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210921313.5，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由潘德烈;李承远;李佳勋设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及垂直腔面发射激光器技术领域，包括提供外延结构，外延结构包括依次层叠的衬底、N型接触层、N型反射层、量子阱层和P型反射层；在P型反射层上形成P极金属电极，并在P极金属电极上形成第一抗反射膜层以覆盖P型反射层；由第一抗反射膜层刻蚀沟槽至N型接触层；通过沟槽的侧壁向P型反射层内延伸形成氧化结构，并在第一抗反射膜层上形成第二抗反射膜层以覆盖沟槽；由沟槽刻蚀第二抗反射膜层露出N型接触层，在露出的N型接触层上形成N极金属电极；刻蚀第一抗反射膜层和第二抗反射膜层以露出P极金属电极；通过P极金属电极接出P电极，通过N极金属电极接出N电极。

本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：提供外延结构，所述外延结构包括依次层叠的衬底、N型接触层、N型反射层、量子阱层和P型反射层；在所述P型反射层上形成P极金属电极，并在所述P极金属电极上形成第一抗反射膜层以覆盖所述P型反射层；由所述第一抗反射膜层刻蚀沟槽至所述N型接触层；通过所述沟槽的侧壁向所述P型反射层内延伸形成氧化结构，并在所述第一抗反射膜层上形成第二抗反射膜层以覆盖所述沟槽；其中，所述沟槽的数量为多个，多个所述沟槽均布在所述外延结构上，多个所述沟槽形成的所述氧化结构之间形成间隙孔径；由所述沟槽刻蚀所述第二抗反射膜层露出所述N型接触层，在露出的所述N型接触层上形成N极金属电极；刻蚀所述第一抗反射膜层和所述第二抗反射膜层以露出所述P极金属电极；通过所述P极金属电极接出P电极，通过所述N极金属电极接出N电极。

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