买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利用于e-fuse刻蚀的检测结构、制备及检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210962171.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权用于e-fuse刻蚀的检测结构、制备及检测方法是由王帅;廖黎明;庞洪荣;仇峰;胡林辉设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于e-fuse刻蚀的检测结构、制备及检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于e‑fuse刻蚀的检测结构、制备及检测方法，在晶圆切割区中形成与位于晶圆有源区的e‑fuse同步构成的参比金属层及检测金属层，参比金属层包括参比金属连接件及参比金属电阻件，检测金属层包括检测金属连接件及检测金属电阻件，且参比金属连接件与检测金属连接件上方均对应设有相连接的、用以电性测试的金属柱及焊盘，从而在进行刻蚀工艺的过程中，由于检测金属电阻件的上方具有介电层检测窗口，检测金属电阻件被刻蚀，使得检测金属电阻件的电阻值发生变化，因此，通过对检测金属电阻件及参比金属电阻件的电性能数据即电阻值变化的监控，即可反应出e‑fuse刻蚀的情况，免于切片确认。

本发明授权用于e-fuse刻蚀的检测结构、制备及检测方法在权利要求书中公布了：1.一种用于e-fuse刻蚀的检测结构，其特征在于，所述检测结构包括：衬底，所述衬底包括晶圆有源区及晶圆切割区；参比金属层，所述参比金属层位于所述衬底的晶圆切割区上，所述参比金属层包括2个间隔设置的参比金属连接件及与所述参比金属连接件对应连接的参比金属电阻件，且所述参比金属电阻件与位于所述晶圆有源区的所述e-fuse同步构成；检测金属层，所述检测金属层位于所述衬底的晶圆切割区上，所述检测金属层与所述参比金属层具有相同形貌，所述检测金属层包括2个间隔设置的检测金属连接件及与所述检测金属连接件对应连接的检测金属电阻件，且所述检测金属电阻件与位于所述晶圆有源区的所述e-fuse同步构成；金属柱，所述金属柱位于所述参比金属连接件及所述检测金属连接件上，且所述金属柱的一端与对应的所述参比金属连接件及所述检测金属连接件连接；焊盘，所述焊盘位于所述金属柱上，且所述焊盘与所述金属柱的另一端连接；介电层，所述介电层位于所述衬底上覆盖所述衬底、所述参比金属层、所述检测金属层及所述金属柱，且所述介电层中具有显露所述焊盘的介电层探测窗口，以及显露所述检测金属电阻件的介电层检测窗口。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国上海浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。