恭喜华南理工大学唐鑫获国家专利权
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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210972481.7，技术领域涉及：H10F30/227；该发明授权一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用是由唐鑫;李国强;郑昱林设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用，应用在光电探测器领域，通过化学气相沉积法在二氧化硅层制备不同厚度的二维MoS2材料层在电子束蒸发中，制备不同厚度的Al层正度，采用等离子体化学气相沉积法，制备不同厚度的低维ALN材料层生长，所述二维MoS2材料层及低维AlN材料层构成高肖特基势垒，形成内建电场。本发明实现二维MoS2上低维AlN生长，构建了结型异质结，表现出自供电效应和很高的深紫外光响应度、快速响应能力。
本发明授权一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种MoS2上低维AlN材料制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；将二氧化硅层及硅衬底清洗后，通过化学气相沉积法制备不同厚度的二维MoS2材料层得到MoS2SiO2Si；将MoS2SiO2Si转移至电子束蒸发中，制备不同厚度的Al层蒸镀，得到AlMoS2SiO2Si；AlMoS2SiO2Si转移至等离子体化学气相沉积（PECVD）中，通入氮气与氨气，打开等离子体射频，实现了不同厚度的低维AlN材料层生长，使得二维MoS2材料层及低维AlN材料层构成高肖特基势垒，形成内建电场；制备不同厚度的TiAu电极，所述电极包括第一金属电极及第二金属电极，所述二维MoS2材料层设有第一金属电极，所述低维AlN材料层设有第二金属电极；将制备TiAu电极后的结构置于退火炉中不同温度退火处理，使得金属与低维AlN材料层、二维MoS2材料层形成欧姆接触。
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