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龙图腾网恭喜河北工业大学申请的专利考虑磁畴演变过程与宏观磁特性的同步测试系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115356670B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211029020.2，技术领域涉及：G01R33/12；该发明授权考虑磁畴演变过程与宏观磁特性的同步测试系统及方法是由李永建;周家鹏;窦宇;岳帅超;孟文斌设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本考虑磁畴演变过程与宏观磁特性的同步测试系统及方法在说明书摘要公布了：本发明为考虑磁畴演变过程与宏观磁特性的同步测试系统及方法，包括磁光克尔显微镜、信号控制模块、磁场控制模块及电磁传感模块；该测试系统综合磁光克尔效应和宏观磁特性测试方法，在物镜观测样品的平台上加入包含B探针和H线圈的电磁传感模块，B探针和H线圈属于无源传感器，可以避免样品在测试时受到外界磁场的干扰。通过将由B探针和H线圈组合而成的传感结构放在样品台上，随后将样品通过可移动卡扣紧贴在B探针和H线圈上，结合磁光克尔技术，实现同时在更宽频域范围内对取向硅钢材料或者纳米晶材料同时进行磁性材料磁畴观测及宏观旋转磁特性测试。

本发明授权考虑磁畴演变过程与宏观磁特性的同步测试系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑磁畴演变过程与宏观磁特性的同步测试系统，包括磁光克尔显微镜、信号控制模块、磁场控制模块及电磁传感模块；其特征在于，所述磁场控制模块包括圆形二维激磁装置、磁屏蔽装置，所述圆形二维激磁装置包括激磁磁轭和两相激磁绕组，所述激磁绕组连接信号控制模块，激磁磁轭的水平中轴线比磁光克尔显微镜的样品台的水平中轴线高，且激磁磁轭位于样品台的外侧，激磁磁轭为环形锯齿结构；所述磁屏蔽装置用来防止激磁磁轭漏磁通的干扰，安装在样品所在区域的外围，磁屏蔽装置屏蔽区域为测试位置，放在样品上进行支撑；所述激磁磁轭和磁光克尔显微镜底座之间设置有多块同轴设置的不同内径的环形圆盘，用于支撑激磁磁轭，激磁磁轭的厚度大于样品厚度，且安装时激磁磁轭和样品水平的中轴线在同一水平面上；所述电磁传感模块用于利用探针法测量样品磁感应强度B，利用隧穿磁阻线性磁场传感元件测量磁场强度H，电磁传感模块固定安装在样品台的上方，包括传感平台、四个B探针、H线圈、弹簧、滑块、滑轨、卡扣、可调节卡扣平台；所述四个B探针围绕H线圈均匀布置在传感平台上，相对的两个B探针之间的距离为样品直径的3-5mm，H线圈的长宽为2-4mm，在弹簧的弹性范围内，使得样品既能与B探针接触，又与H线圈紧密接触，四个B探针分别通过弹簧安装在传感平台上，传感平台的中心安装H线圈；所述可调节卡扣平台固定在样品台上，在可调节卡扣平台上固定安装滑轨，所述滑轨为凹字型，包括水平段和垂直安装在水平段两端的竖直段，水平段固定安装在可调节卡扣平台上，竖直段的两端分别通过一个滑块连接卡扣的内侧，使得卡扣整体能够在竖直段上上下移动；所述卡扣包括水平区域连接件和两个垂直于水平区域连接件的竖直卡件，竖直卡件均位于滑轨的相应竖直段的外侧，竖直卡件的内侧设置有尖角，尖角用于限制样品的上端位置；所述传感平台的下部通过一个滑块安装在滑轨的水平段上，传感平台能在水平段上左右移动；固定好样品后，样品恰好能和B探针及H线圈紧紧贴合；所述卡扣的两个竖直卡件之间的距离小于激磁磁轭的内径，不小于样品的直径。

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