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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利检测验证光学辅助栅光学成像的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115453829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211049702.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权检测验证光学辅助栅光学成像的方法是由敖振宇;曾鼎程;胡展源设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本检测验证光学辅助栅光学成像的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种检测验证光学辅助栅光学成像的方法，提供晶圆，在晶圆上形成光刻胶层，利用包括受体图形、光辅助栅的掩膜版在光刻胶层上曝光；在每行的选定shot依次改变光辅助栅的至少一个物理变量，之后获取光刻胶层的显影后结果，根据显影后结果获得光辅助栅成像程度不同的成像图形；对成像图形进行光学模拟，建立opc模型；以光辅助栅在光学模拟曝光不成像的opc模型的参数作为光辅助栅的设计标准。本发明的方法以正常的模型即可将光学辅助栅成像风险高的图案检测出，OPC脚本负责人可以视成像严重轻微程度将各光学辅助栅成像参数调整并修改脚本以改善光学辅助栅成像，在建模初期则定义出光辅助栅成像的物理量，减少验证时间。

本发明授权检测验证光学辅助栅光学成像的方法在权利要求书中公布了：1.一种检测验证光学辅助栅光学成像的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供晶圆，在所述晶圆上形成光刻胶层，利用包括受体图形、光辅助栅的掩膜版在所述光刻胶层上曝光，选择性地在N个shot上添加固定偏移量，并上传到光刻机；一个shot为一曝光单元，N为大于1的整数，所述晶圆上所包括的shot的数量大于N，令添加固定偏移量的所述shot为选定shot，未添加固定偏移量的所述shot为未选定shot；步骤二、在每行的所述选定shot依次改变所述光辅助栅的至少一个物理变量，之后获取所述光刻胶层的显影后结果，根据所述显影后结果获得所述光辅助栅成像程度不同的成像图形；步骤三、对所述成像图形进行光学模拟，标记出同一行的介于微弱成像与未成像间的所有所述光辅助栅，之后根据其进行光学模拟，建立opc模型；步骤四、以所述光辅助栅在光学模拟曝光不成像的所述opc模型的参数作为所述光辅助栅的设计标准，用于在后续设计中避免所述光辅助栅自身成像。

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