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龙图腾网恭喜华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种多层高带宽存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394768B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211082370.5，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权一种多层高带宽存储器及其制造方法是由吕锡明;苏梅英设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层高带宽存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多层高带宽存储器，采用扇出型嵌入式元器件封装方式将高带宽存储器与逻辑芯片集成于一片晶圆上，提升了存储能力，并通过晶圆级凸点工艺使得封装效率得到提升。其包括：至少一个高带宽存储器芯片模块，每个高带宽存储器芯片模块包括N个垂直堆叠的高带宽存储器晶圆，且表面设置有与其电连接的第一金属连接层；逻辑芯片，其表面设置有与其电连接的第二金属连接层；塑封层，包覆高带宽存储器芯片模块、逻辑芯片、第一金属连接层、以及第二金属连接层，其第一表面设置有与第一、第二金属连接层电连接的重布线层及表面钝化层，第二表面设置有承载层；以及与重布线层电连接的凸点。

本发明授权一种多层高带宽存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多层高带宽存储器，其特征在于，包括：至少一个高带宽存储器芯片模块，每个所述高带宽存储器芯片模块包括N个垂直堆叠的高带宽存储器晶圆，其中N为自然数；至少一个逻辑芯片，其被配置为控制所述高带宽存储器芯片模块，所述高带宽存储器芯片模块与所述逻辑芯片交错布置；第一金属连接层，设置于所述高带宽存储器芯片模块的表面，与所述高带宽存储器芯片模块电连接；第二金属连接层，设置于所述逻辑芯片的表面，与所述逻辑芯片电连接；第一介质层，覆盖所述第一金属连接层及第二金属连接层的表面和间隙，但露出所述第一金属连接层及第二金属连接层的至少一个外接焊盘；第二介质层，设置于所述第一金属连接层及第二金属连接层的下方；塑封层，包覆所述高带宽存储器芯片模块、逻辑芯片、第一金属连接层、第一介质层、第二金属连接层以及第二介质层；表面钝化层，设置于所述塑封层的第一表面，但露出所述第一金属连接层及第二金属连接层的至少一个外接焊盘；重布线层，设置于所述表面钝化层表面，与所述第一金属连接层及第二金属连接层电连接；凸点，电连接至所述重布线层；以及承载层，设置于所述塑封层的第二表面。

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