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龙图腾网恭喜苏州紫灿科技有限公司申请的专利具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211136765.9，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法是由张骏;张毅;岳金顺;陈景文;陈长清设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法，该具有渐变透明电极接触层的深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和透明电极接触层；透明电极接触层为Mg掺杂的AlGaN单层结构，沿生长方向，透明电极接触层的Mg掺杂浓度呈递增趋势，且Al组分百分数呈递减趋势。本发明通过引入渐变的透明电极接触层，用以替换现有的p型GaN接触层，一方面能够获得较好的欧姆接触，降低电压，改善空穴注入能力；另一方面，解决了现有p型GaN接触层吸光严重的问题，显著减少了p型半导体接触层对于出射光的吸收，大大提高了器件发光效率。

本发明授权具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有渐变透明电极接触层的深紫外LED，其特征在于，包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和透明电极接触层，所述具有渐变透明电极接触层的深紫外LED还包括p电极，所述p电极设置于所透明电极接触层上；所述透明电极接触层为Mg掺杂的AlGaN单层结构，沿生长方向，所述透明电极接触层的Mg掺杂浓度呈递增趋势，且Al组分百分数呈递减趋势；所述透明电极接触层与p型AlGaN空穴注入层所接触一侧的Al组分百分数为X1，所述透明电极接触层与p电极所接触一侧的Al组分百分数为X2，所述p型AlGaN空穴注入层的Al组分百分数为X3，满足X3≥X1X20%，从所述p型AlGaN空穴注入层到p电极的方向上，所述透明电极接触层的Al组分百分数由X1线性变化至X2；所述透明电极接触层与p型AlGaN空穴注入层所接触一侧的Mg掺杂浓度为M1，所述透明电极接触层与p电极所接触一侧的Mg掺杂浓度为M2，满足1ⅹ1021cm-3≥M2M1≥1ⅹ1016cm-3，从所述p型AlGaN空穴注入层到p电极的方向上，所述透明电极接触层的Mg掺杂浓度由M1线性变化至M2。

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