恭喜武汉高芯科技有限公司黄立获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉高芯科技有限公司申请的专利一种焦平面阵列探测器的倒装对准结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211190849.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种焦平面阵列探测器的倒装对准结构是由黄立;金迎春;刘斌;周文洪设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种焦平面阵列探测器的倒装对准结构在说明书摘要公布了：本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种焦平面阵列探测器的倒装对准结构。本发明的倒装焊结构包括有具有自对准效果的凸点‑限位结构，凸点‑限位结构能够将传统倒装焊工艺过程中像素互连凸点横向侧滑的不利因素转化为有利条件，使光敏阵列与读出电路能够实现自对准，从而完成二者像素互连结构的精确对位和倒装焊，能够批量化实现10μm以下中心距焦平面阵列探测器的制备。
本发明授权一种焦平面阵列探测器的倒装对准结构在权利要求书中公布了：1.一种焦平面阵列探测器的倒装对准结构，其特征在于，包括读出电路和光敏阵列，所述读出电路和光敏阵列的其中一个上设置有位于像素互连结构周围的凸点，另一个上设置有位于像素互连结构周围的限位结构，所述凸点和限位结构的数量及位置相对应，所述读出电路和光敏阵列通过凸点和限位结构进行倒装对准；所述凸点和限位结构包括至少两种尺寸规格，且较小尺寸的凸点或限位结构数量多于相邻较大尺寸的凸点或限位结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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