恭喜上海积塔半导体有限公司丁甲获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利等离子体刻蚀监测结构及制备方法及监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211244274.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权等离子体刻蚀监测结构及制备方法及监测方法是由丁甲;叶蕾;胡林辉;王峰;李乐设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体刻蚀监测结构及制备方法及监测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种等离子体刻蚀监测结构及制备方法及等离子体刻蚀监测方法。等离子监测结构包括：衬底；金属层，位于衬底上；覆盖介质层，位于衬底上，且覆盖金属层；深通孔，位于覆盖介质层内，且位于覆盖介质层的至少一侧。本申请通过在金属层附近设置深通孔，有利于电荷在金属层边缘局部泄放，一旦干法刻蚀工艺中存在等离子体增大较多，易于在衬底局部表面发生目检可见的电弧现象，通过本申请的等离子体刻蚀监测结构可以监测等离子体是否存在不稳定，并在等离子体存在不稳定时确定等离子体不稳定所在的区域。
本发明授权等离子体刻蚀监测结构及制备方法及监测方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体刻蚀监测结构，其特征在于，包括：衬底；金属层，位于所述衬底上；覆盖介质层，位于所述衬底上，且覆盖所述金属层；深通孔，位于所述覆盖介质层内，且位于所述覆盖介质层的至少一侧；所述深通孔用于监测等离子体对金属层以及位于金属层外围的覆盖介质层的击穿，实现对等离子特性的监测。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：200135 上海市浦东新区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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