恭喜中国科学院半导体研究所石建美获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211401632.X，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权半导体激光器是由石建美;牛智川;杨成奥;张宇;徐应强;倪海桥;王天放;陈益航;余红光设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括在衬底表面依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层、帽层、顶部电极，和形成于衬底背面的底部电极，所述上限制层、帽层和顶部电极形成脊条，所述脊条上设置有模式调控阵列结构，所述模式调控阵列结构包括沟道和箭头结构阵列，所述沟道形成于所述脊条的两侧，所述箭头结构阵列包括多个箭头结构单元，每个所述箭头结构单元包括至少一个箭头，其中，所述箭头结构阵列中的箭头结构单元形成于所述半导体激光器的侧向光场分布的N‑1阶模式的峰值位置，N为大于等于2的整数。
本发明授权半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，包括在衬底表面依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层、帽层、顶部电极，和形成于衬底背面的底部电极，所述上限制层、帽层和顶部电极形成脊条，其特征在于：所述脊条上设置有模式调控阵列结构，所述模式调控阵列结构包括沟道和箭头结构阵列，所述沟道形成于所述脊条的两侧，所述箭头结构阵列包括多个箭头结构单元，每个所述箭头结构单元包括至少一个箭头，其中，所述箭头结构阵列中的箭头结构单元形成于所述半导体激光器的侧向光场分布的N-1阶模式的峰值位置，N为大于等于2的整数；所述箭头结构单元中箭头的方向与注入电流增大时所述N-1阶模式的峰值位置的变化一致。
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